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BLF278

NXP射频功放管BLF278

VHF push-pull power MOS transistor

Dual push-pull silicon N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor encapsulated in a 4-lead, SOT262A1 balanced flange package with two ceramic caps. The mounting flange provides the common source connection for the transistors

特性和优势

  • High power gain
  • Easy power control
  • Good thermal stability
  • Gold metallization ensures excellent reliability

应用

  • Broadcast transmitters in the VHF frequency range.

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